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NE651R479A中文资料

NE651R479A图片

NE651R479A外观图

  • 大小：69.2KB
  • 厂家：NEC [NEC]
  • 描述：0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
  • 制造商：NEC
  • 技术类型：HEMT
  • 频率：1.9 GHz
  • 增益：12 dB
  • 漏源电压 VDS：8 V
  • 闸/源击穿电压：- 4 V
  • 漏极连续电流：1 A
  • 最大工作温度：+ 125 C
  • 功率耗散：2.5 W
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：79A
  • P1dB：27 dBm

NE651R479A供应商

更新时间:2023-01-02 06:03:31
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