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NE651R479A中文资料

NE651R479A图片

NE651R479A外观图

  • 大小:69.2KB
  • 厂家:NEC [NEC]
  • 描述:0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
  • 制造商:NEC
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:1.9 GHz
  • 增益:12 dB
  • 漏源电压 VDS:8 V
  • 闸/源击穿电压:- 4 V
  • 漏极连续电流:1 A
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 功率耗散:2.5 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:79A
  • P1dB:27 dBm

NE651R479A供应商

更新时间:2023-01-02 06:03:31
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